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產(chǎn)品參數(shù)：

技術(shù)系列：低電壓互補金屬氧化物半導體（LVC）
電源電壓最小值（伏）：1.65
電源電壓最大值（伏）：5.5
通道數(shù)量：1
每個通道的輸入數(shù)量：3
最大輸出灌電流（毫安）：32
最大輸出拉電流（毫安）：-32
輸入類型：標準互補金屬氧化物半導體（CMOS）
輸出類型：推挽式
特性：過壓耐受輸入、部分掉電（Ioff）、超高速（傳輸延遲時間 tpd 小于 5 納秒）
數(shù)據(jù)速率最大值（兆比特每秒）：100
等級：產(chǎn)品目錄級別
工作溫度范圍（攝氏度）：-40 至 125
封裝/引腳/尺寸：

EM74LVC1G332GV 采用 SOT23-6L 封裝，SOT23 封裝形式，6 引腳，尺寸為 2.92 毫米 ×1.6 毫米；最大高度為 1.25 毫米。
EM74LVC1G332GW 采用 SOT363 封裝，SOT363 封裝形式，6 引腳，尺寸為 2.1 毫米 ×1.25 毫米；最大高度為 1.1 毫米。
EM74LVC1G332GS 采用 DFN1x1-6L 封裝，DFN1×1 封裝形式，6 引腳，尺寸為 1 毫米 ×1 毫米；最大高度為 0.42 毫米。
EM74LVC1G332GM 采用 DFN1x1.45-6L 封裝，DFN1.45×1 封裝形式，6 引腳，尺寸為 1.45 毫米 ×1 毫米；最大高度為 0.6 毫米。
特性：

*電源電壓范圍寬廣，介于 1.65 伏至 5.5 伏之間。
*抗噪性能高。
*輸入可耐受高達 5.5 伏的過電壓。
*當電源電壓 VCC 為 3.0 伏時，輸出驅(qū)動能力為 ±24 毫安。
*基于互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術(shù)，功耗低。
*可與晶體管 - 晶體管邏輯（TTL）電平直接連接。
*IOFF 電路可實現(xiàn)部分掉電模式操作。
*抗閂鎖性能超過 100 毫安。
*符合電子器件工程聯(lián)合委員會（JEDEC）標準：
*JESD8-7（1.65 伏至 1.95 伏）
*JESD8-5（2.3 伏至 2.7 伏）
*JESD8C（2.7 伏至 3.6 伏）
*JESD36（4.5 伏至 5.5 伏）
*靜電放電（ESD）保護：
*人體放電模式（HBM）符合美國國家標準協(xié)會 / 電子器件靜電放電協(xié)會 / 電子器件工程聯(lián)合委員會（ANSI/ESDA/JEDEC）標準 JS-001 的 3B 級，超過 8000 伏。
*機器放電模式（MM）符合 JEDEC 標準 JESD22-A115C 的 C 級，超過 550 伏。
*帶電裝置模式（CDM）符合美國國家標準協(xié)會 / 電子器件靜電放電協(xié)會 / 電子器件工程聯(lián)合委員會（ANSI/ESDA/JEDEC）標準 JS-002 的 C3 級，超過 2000 伏。
*有多種封裝選項。
說明：

EM74LVC1G332 是一款單路 3 輸入或門。其輸入可由 3.3V 或 5V 器件驅(qū)動，這一特性使得該器件能夠在 3.3V 和 5V 混合的應用環(huán)境中用作電平轉(zhuǎn)換器。所有輸入均具備施密特觸發(fā)功能，使電路能夠耐受較慢的輸入上升和下降時間。該器件針對使用 IOFF 功能的部分掉電應用進行了完整的規(guī)格設(shè)定。IOFF 電路會禁用輸出，防止在器件斷電時出現(xiàn)可能損壞器件的反向電流。