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產(chǎn)品參數(shù):
技術(shù)系列:低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(LVC)
電源電壓最小值(伏):1.65
電源電壓最大值(伏):5.5
通道數(shù)量:1
每個通道的輸入數(shù)量:2
最大輸出灌電流(毫安):32
最大輸出拉電流(毫安):-32
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)
輸出類型:推挽式
特性:過壓耐受輸入、高抗噪性、基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)的低功耗
等級:產(chǎn)品目錄級別
工作溫度范圍(攝氏度):-40 至 125
封裝/引腳/特性:
EM74LVC1G86GV 采用 SOT23-5L 封裝,SOT23 封裝形式,5 引腳,尺寸為 2.92 毫米 ×1.6 毫米;最大高度為 1.25 毫米。
EM74LVC1G86GW 采用 SOT353 封裝,SOT353 封裝形式,5 引腳,尺寸為 2.1 毫米 ×1.25 毫米;最大高度為 1.1 毫米。
EM74LVC1G86GS 采用 DFN1x1-6L 封裝,DFN1×1 封裝形式,6 引腳,尺寸為 1 毫米 ×1 毫米;最大高度為 0.42 毫米。
EM74LVC1G86GM 采用 DFN1x1.45-6L 封裝,DFN1.45×1 封裝形式,6 引腳,尺寸為 1.45 毫米 ×1 毫米;最大高度為 0.6 毫米。
EM74LVC1G86GX 采用 DFN0.8x0.8-4L 封裝,DFN0.8×0.8 封裝形式,5 引腳,尺寸為 0.8 毫米 ×0.8 毫米;最大高度為 0.4 毫米。
特性:
*電源電壓范圍寬廣,為 1.65 伏至 5.5 伏。
*抗噪性能高。
*當(dāng)電源電壓 VCC = 3.0 伏時,輸出驅(qū)動能力為 ±24 毫安。
*基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù),功耗低。
*可與晶體管 - 晶體管邏輯(TTL)電平直接連接。
*輸入可耐受高達(dá) 5.5 伏的過電壓。
*IOFF 電路可實現(xiàn)部分掉電模式操作。
*抗閂鎖性能超過 100 毫安。
*符合電子器件工程聯(lián)合委員會(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn):
*JESD8-7(1.65 伏至 1.95 伏)
*JESD8-5(2.3 伏至 2.7 伏)
*JESD8C(2.7 伏至 3.6 伏)
*JESD36(4.5 伏至 5.5 伏)
*靜電放電(ESD)保護(hù):
*人體放電模式(HBM)符合美國國家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會 / 電子器件靜電放電協(xié)會 / 電子器件工程聯(lián)合委員會(ANSI/ESDA/JEDEC)標(biāo)準(zhǔn) JS-001 的 3B 級,超過 8000 伏。
*機(jī)器放電模式(MM)符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD22-A115C 的 C 級,超過 550 伏。
*帶電裝置模式(CDM)符合美國國家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會 / 電子器件靜電放電協(xié)會 / 電子器件工程聯(lián)合委員會(ANSI/ESDA/JEDEC)標(biāo)準(zhǔn) JS-002 的 C3 級,超過 2000 伏。
*有多種封裝可供選擇。
說明:
EM74LVC1G86 提供 2 輸入異或(EXCLUSIVE-OR)功能。其輸入可由 3.3V 或 5V 器件驅(qū)動,這一特性使得該器件能夠應(yīng)用于 3.3V 和 5V 混合的環(huán)境中。該器件針對使用 IOFF 功能的部分掉電應(yīng)用進(jìn)行了完整的規(guī)格設(shè)定。IOFF 電路會禁用輸出,防止在器件斷電時出現(xiàn)可能損壞器件的反向電流。
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