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產(chǎn)品參數(shù)：

技術(shù)系列：低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（LVC）
電源電壓最小值（伏）：1.65
電源電壓最大值（伏）：5.5
通道數(shù)量：1
每個(gè)通道的輸入數(shù)量：1
最大輸出灌電流（毫安）：32
最大輸出拉電流（毫安）：-32
輸入類型：施密特觸發(fā)
輸出類型：推挽式
特性：過壓耐受輸入、高抗噪性、基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）的低功耗
等級：產(chǎn)品目錄級別
工作溫度范圍（攝氏度）：-40 至 125
封裝/引腳/尺寸：

EM74LVC1G57GV 采用 SOT23-6L 封裝，SOT23 封裝形式，6 引腳，尺寸為 2.92 毫米 ×1.6 毫米；最大高度為 1.25 毫米。
EM74LVC1G57GW 采用 SOT363 封裝，SOT363 封裝形式，6 引腳，尺寸為 2.1 毫米 ×1.25 毫米；最大高度為 1.1 毫米。
特性：

*電源電壓范圍寬廣，從 1.65 伏到 5.5 伏。
*輸入可耐受高達(dá) 5.5 伏的過電壓。
*抗噪性能高。
*當(dāng)電源電壓 VCC = 3.0 伏時(shí)，輸出驅(qū)動能力為 ±24 毫安。
*基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)，功耗低。
*抗閂鎖性能超過 100 毫安。
*可與晶體管 - 晶體管邏輯（TTL）電平直接連接。
*IOFF 電路可實(shí)現(xiàn)部分掉電模式操作。
*符合電子器件工程聯(lián)合委員會（JEDEC）標(biāo)準(zhǔn)：
*JESD8-7（1.65 伏至 1.95 伏）
*JESD8-5（2.3 伏至 2.7 伏）
*JESD8B/JESD36（2.7 伏至 3.6 伏）
*靜電放電（ESD）保護(hù)：
*人體放電模式（HBM）符合美國國家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會 / 電子器件靜電放電協(xié)會 / 電子器件工程聯(lián)合委員會（ANSI/ESDA/JEDEC）標(biāo)準(zhǔn) JS-001 的 3B 級，超過 8000 伏。
*帶電裝置模式（CDM）符合美國國家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會 / 電子器件靜電放電協(xié)會 / 電子器件工程聯(lián)合委員會（ANSI/ESDA/JEDEC）標(biāo)準(zhǔn) JS-002 的 C3 級，超過 2000 伏。
*有多種封裝可供選擇。
說明：

EM74LVC1G57 是一款帶有施密特觸發(fā)輸入的可配置多功能門電路。通過 3 位輸入配置，該器件可被設(shè)置為以下任意一種邏輯功能：與門（AND）、或門（OR）、與非門（NAND）、或非門（NOR）、同或門（XNOR）、反相器（inverter）和緩沖器（buffer）。所有輸入均可直接連接到 VCC 或 GND。其輸入可以由 3.3V 或 5V 的器件驅(qū)動，這一特性使得該器件能夠在 3.3V 和 5V 混合的環(huán)境中用作電平轉(zhuǎn)換器。
該器件針對使用 IOFF 功能的部分掉電應(yīng)用進(jìn)行了完整的規(guī)格設(shè)定。IOFF 電路會禁用輸出，防止在器件斷電時(shí)出現(xiàn)可能損壞器件的反向電流。