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產(chǎn)品參數(shù)：

技術(shù)系列：低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（LVC）
電源電壓最小值（伏）：1.65
電源電壓最大值（伏）：5.5
通道數(shù)量：1
最大輸出灌電流（毫安）：32
最大輸出拉電流（毫安）：-32
電源電流最大值（微安）：4
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）
輸出類型：推挽式
特性：平衡輸出、過壓耐受輸入、部分掉電（Ioff）、超高速（傳輸延遲時(shí)間 tpd 為 5 至 10 納秒）
等級：產(chǎn)品目錄級別
工作溫度范圍（攝氏度）：-40 至 125
封裝/引腳/尺寸：

型號：EM74LVC1G04GV，封裝：SOT23-5L，SOT23 封裝形式，5 引腳，尺寸為 2.92 毫米 ×1.6 毫米；最大高度為 1.25 毫米
型號：EM74LVC1G04GW，封裝：SOT353，SOT353 封裝形式，5 引腳，尺寸為 2.1 毫米 ×1.25 毫米；最大高度為 1.1 毫米
型號：EM74LVC1G04GS，封裝：DFN1x1-6L，DFN1×1 封裝形式，6 引腳，尺寸為 1 毫米 ×1 毫米；最大高度為 0.42 毫米
型號：EM74LVC1G04GM，封裝：DFN1x1.45-6L，DFN1.45×1 封裝形式，6 引腳，尺寸為 1.45 毫米 ×1 毫米；最大高度為 0.6 毫米
型號：EM74LVC1G04GX，封裝：DFN0.8x0.8-4L，DFN0.8×0.8 封裝形式，5 引腳，尺寸為 0.8 毫米 ×0.8 毫米；最大高度為 0.4 毫米
特性：

*電源電壓范圍從 1.65 伏到 5.5 伏，范圍寬廣。
*輸入可耐受高達(dá) 5.5 伏的過電壓。
*具有高抗噪聲能力。
*采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)，功耗低。
*IOFF 電路可實(shí)現(xiàn)部分掉電模式操作。
*輸出驅(qū)動能力為 ±24 毫安（電源電壓 VCC = 3.0 伏時(shí)）。
*抗閂鎖性能超過 100 毫安。
*可與晶體管 - 晶體管邏輯（TTL）電平直接連接。
*符合電子器件工程聯(lián)合委員會（JEDEC）標(biāo)準(zhǔn)：
*JESD8 - 7（1.65 伏至 1.95 伏）
*JESD8 - 5（2.3 伏至 2.7 伏）
*JESD8C（2.7 伏至 3.6 伏）
*JESD36（4.5 伏至 5.5 伏）
*靜電放電（ESD）保護(hù)：
*人體放電模式（HBM）符合美國國家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會 / 電子器件靜電放電協(xié)會 / 電子器件工程聯(lián)合委員會（ANSI/ESDA/JEDEC）標(biāo)準(zhǔn) JS - 001 的 3B 級，超過 8000 伏。
*機(jī)器放電模式（MM）符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD22 - A115C 的 C 級，超過 550 伏。
*帶電裝置模式（CDM）符合美國國家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會 / 電子器件靜電放電協(xié)會 / 電子器件工程聯(lián)合委員會（ANSI/ESDA/JEDEC）標(biāo)準(zhǔn) JS - 002 的 C3 級，超過 2000 伏。
*有多種封裝可供選擇。

說明：

EM74LVC1G04 是一款單路反相器。其輸入可以由 3.3V 或 5V 的器件驅(qū)動。這一特性使得該器件能夠在 3.3V 和 5V 混合的環(huán)境中用作電平轉(zhuǎn)換器。所有輸入都具備施密特觸發(fā)功能，使電路能夠耐受較慢的輸入上升和下降時(shí)間。該器件針對使用 IOFF 功能的部分掉電應(yīng)用進(jìn)行了全面的規(guī)格設(shè)定。IOFF 電路會禁用輸出，從而防止在器件斷電時(shí)出現(xiàn)會造成損壞的反向電流通過器件。