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產(chǎn)品參數(shù)：

技術(shù)系列：低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（LVC）
電源電壓最小值（伏）：1.65
電源電壓最大值（伏）：5.5
通道數(shù)量：3
每個(gè)通道的輸入數(shù)量：3
最大輸出灌電流（毫安）：32
最大輸出拉電流（毫安）：-32
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）
輸出類(lèi)型：推挽式
特性：過(guò)壓耐受輸入、CMOS 低功耗、部分掉電（Ioff）
等級(jí)：產(chǎn)品目錄級(jí)別
工作溫度范圍（攝氏度）：-40 至 125
封裝/引腳/尺寸：

EM74LVC10AD 采用 SOP-14L 封裝，即塑料小外形封裝，有 14 個(gè)引腳，本體寬度為 3.9 毫米。
EM74LVC10APW 采用 TSSOP-14L 封裝，即塑料薄型收縮小外形封裝，有 14 個(gè)引腳，本體寬度為 4.4 毫米。
特性：
*電源電壓范圍寬廣，在 1.2 伏至 5.5 伏之間
*輸入可耐受高達(dá) 5.5 伏的過(guò)電壓
*互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS），低功耗
*IOFF 電路可實(shí)現(xiàn)部分掉電模式操作
*抗閂鎖性能超過(guò) 250 毫安
*可與晶體管 - 晶體管邏輯（TTL）電平直接連接
*符合電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)（JEDEC）標(biāo)準(zhǔn)：
*JESD8-7A（1.65 伏至 1.95 伏）
*JESD8-5A（2.3 伏至 2.7 伏）
*JESD8-C（2.7 伏至 3.6 伏）
*JESD36（4.5 伏至 5.5 伏）
*靜電放電（ESD）保護(hù)：
*人體放電模式（HBM）符合美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì) / 電子器件靜電放電協(xié)會(huì) / 電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)（ANSI/ESDA/JEDEC）標(biāo)準(zhǔn) JS-001 的 3A 級(jí)，超過(guò) 6000 伏
*帶電裝置模式（CDM）符合美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì) / 電子器件靜電放電協(xié)會(huì) / 電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)（ANSI/ESDA/JEDEC）標(biāo)準(zhǔn) JS-002 的 C3 級(jí)，超過(guò) 2000 伏
*有多種封裝選擇
說(shuō)明；

EM74LVC10A 芯片提供三個(gè) 3 輸入與非門(mén)功能。其輸入可由 3.3V 或 5V 器件驅(qū)動(dòng)，這一特性使其能夠作為電平轉(zhuǎn)換器應(yīng)用于 3.3V 與 5V 混合的電壓環(huán)境中。所有輸入均具備施密特觸發(fā)功能，使電路能夠耐受上升沿和下降沿較慢的輸入信號(hào)。該器件針對(duì)采用 IOFF 功能的部分掉電應(yīng)用進(jìn)行了完整規(guī)格定義。IOFF 電路可在器件斷電時(shí)禁用輸出，防止電流倒灌通過(guò)器件，從而避免潛在的電路損壞風(fēng)險(xiǎn)。